Транзистор CGHV40100F GaN HEMT 100 Вт 4.0 ГГц
Описание
Характеристики
- Похожие предложения
Описание предложения
Мощный транзистор CGHV40100F для RF и микроволновых приложений
Транзистор CGHV40100F от CREE — это высокопроизводительное решение для широкополосных RF и микроволновых систем. Устройство изготовлено по передовой технологии GaN HEMT, что обеспечивает исключительную эффективность и надежность в различных условиях эксплуатации.
Ключевые особенности
- Мощность до 100 Вт в частотном диапазоне DC - 4.0 ГГц
- Рабочее напряжение 50 В с высоким коэффициентом усиления
- Технология GaN HEMT для повышенной эффективности
- Усиление 17.5 дБ на частоте 2.0 ГГц
- КПД до 55% при номинальной мощности
- Корпус с 24 выводами для простого монтажа
Области применения
Транзистор идеально подходит для линейных и компрессионных усилительных схем, телекоммуникационного оборудования, радиолокационных систем и измерительной аппаратуры. Широкий частотный диапазон делает его универсальным решением для современных RF-приложений.
Преимущества технологии GaN
Нитрид-галлиевые транзисторы обеспечивают превосходные характеристики по сравнению с традиционными решениями: более высокая плотность мощности, улучшенная термическая стабильность и расширенный частотный диапазон.
Часто задаваемые вопросы
Какие типы корпусов доступны для CGHV40100F?
Транзистор поставляется в корпусах типа 40153 с фланцевым исполнением, что обеспечивает оптимальный теплоотвод и простоту монтажа.
Каковы типичные условия эксплуатации?
Устройство демонстрирует стабильные характеристики в диапазоне температур окружающей среды и обеспечивает надежную работу при номинальном напряжении 50 В с током покоя 600 мА.
ТН ВЭД ЕАЭС: 8541210000